申请（专利）号：CN200810050587.1申请日：2008.04.10

公开（公告）号：CN101257064公开（公告）日：2008.09.03

主分类号：H01L31/18(2006.01)I范畴分类：

分类号：H01L31/18(2006.01)I；C23C14/35(2006.01)I；C23C14/54(2006.01)I

优先权：

申请（专利权）人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

地址：130033吉林省长春市东南湖大路16号

国省代码：吉林；22

发明（设计）人：蒋大勇；张吉英；申德振；姚斌；赵东旭；张振中

国际申请：

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构：长春菁华专利商标代理事务所

代理人：王淑秋

分案申请号：

颁证日：

摘要：

本发明属于半导体光电技术领域，涉及一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，通过交流磁控溅射制备不同带隙宽度(3.37～4.13eV)的高质量MgZnO合金薄膜，并在此基础上通过真空热蒸发和湿法刻蚀的方法制备MSM结构电极的MgZnO紫外光电探测器。采用本发明制备的MgZnO紫外光电探测器具备高的紫外可见比和较低的暗电流等优点，适用于太阳紫外线辐射监控、火焰探测、导弹预警等。

主权项：

一种MgZnO紫外光电探测器的制备方法，其特征在于包括下列步骤：

a.使用交流磁控溅射台，在衬底温度为300～600℃条件下，对Mg摩尔浓度为5％～40％的MgZnO合金靶进行溅射，制备出MgZnO合金薄膜；

b.通过真空热蒸发的方法，在已制备的MgZnO合金薄膜上蒸镀Au膜。

c.制备金属—半导体—金属结构的电极。http://www.zhsysb.cn/